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mos场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(loxidesemiconductor fieldeffect transistor, mosfet)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型mos场效应管可分为npn型pnp型。npn型通常称为n沟道型，pnp型也叫p沟道型。对于n沟道的场效应管其源极和漏极接在n型半导体上，同样对于p沟道的场效应管其源极和漏极则接在p型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压（p端接正极，n端接负极）时，二极管导通，其pn结有电流通过。这是因为在p型半导体端为正电压时，n型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的p型半导体端，而p型半导体端内的正电子则朝n型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（p端接负极，n端接正极）时，这时在p型半导体端为负电压，正电子被聚集在p型半导体端，负电子则聚集在n型半导体端，电子不移动，其pn结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在n沟道的mos场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时n型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个n沟道之间的p型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个n型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定